Характеристики
Тип модуля
IGBT
Конструкция диода
одиночный транзистор
Топология
одиночный транзистор
Обратное напряжение макс.
1.7кВ
Ток коллектора
775А
Импульсный ток
3420А
Корпус
SEMITRANS4
Электрический монтаж
винтами
Монтаж
винтами
Рабочая температура
-40…150°C
Напряжение затвор — эмиттер
±20В