Заполнитель

Транзистор STP3NK80Z

Поставка электронных компонентов в Тюмень

97,00 руб.

x 97,00 = 97,00
Артикул: 1127640 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Тюмень уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней97,00руб.90,21руб.87,30руб.85,36руб.79,54руб.77,60руб.75,66руб.69,84руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней175,57руб.161,02руб.158,11руб.154,23руб.143,56руб.140,65руб.136,77руб.123,19руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней226,98руб.209,52руб.204,67руб.199,82руб.186,24руб.181,39руб.177,51руб.159,08руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней116,40руб.106,70руб.104,76руб.101,85руб.95,06руб.93,12руб.90,21руб.81,48руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней224,07руб.206,61руб.201,76руб.196,91руб.191,09руб.184,30руб.174,60руб.157,14руб.

Характеристики

STP3NK80ZThe STP3NK80Z is a 800V N-channel Zener-protected Power MOSFET developed using SuperMESH™ technology, achieved through optimization of well established strip-based PowerMESH™ layout. In addition to pushing on-resistance significantly down, special care is taken to ensure a very good dv/dt capability for the most demanding applications. Improved gate charge and lower power dissipation to meet today’s challenging efficiency requirements.

• Extremely high dv/dt capability
• 100% Avalanche tested
• Gate charge minimized
• Very low intrinsic capacitance
• Very good manufacturing repeatability

Дополнительная информация

Корпус

to220ab
Структура

n-канал