Характеристики
BF545B,215 N-channel JFET, NXP
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.Транзисторы / Полевые транзисторы / Радиочастотные (RF FET) транзисторы
Корпус: SOT-23 (TO-236AB), инфо: Полевой транзистор, радиочастотный, N-канальный, 31 В, 0.25 Вт, 15 мА