ce82391d46cf96933f078ca254a25801

PBSS2515E,115, Биполярный транзистор, NPN, 15 В, 420 МГц

Поставка электронных компонентов в Тюмень

18,00 руб.

x 18,00 = 18,00
Артикул: 1130095 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Тюмень уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней18,00руб.16,74руб.16,20руб.15,84руб.14,76руб.14,40руб.14,04руб.12,96руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней32,58руб.29,88руб.29,34руб.28,62руб.26,64руб.26,10руб.25,38руб.22,86руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней42,12руб.38,88руб.37,98руб.37,08руб.34,56руб.33,66руб.32,94руб.29,52руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней21,60руб.19,80руб.19,44руб.18,90руб.17,64руб.17,28руб.16,74руб.15,12руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней41,58руб.38,34руб.37,44руб.36,54руб.35,46руб.34,20руб.32,40руб.29,16руб.

Характеристики

PBSS2515E,115, Биполярный транзистор, NPN, 15 В, 420 МГц The PBSS2515E, 115 is a 0.5A NPN breakthrough-in small signal (BISS) Transistor in an ultra-small surface-mount plastic package.

• Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
• High collector current capability IC and ICM
• High collector current gain (hFE) at high IC
• High efficiency due to less heat generation
• Smaller required printed-circuit board (PCB) area than for conventional transistors
• PNP complement is PBSS3515E
• 1Q Marking code

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыБиполярные Транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер

15В
Стандарт Корпуса Транзистора

SOT-416
Рассеиваемая Мощность

150мВт
Полярность Транзистора

npn
DC Ток Коллектора

500мА
DC Усиление Тока hFE

90hFE
Частота Перехода ft

420МГц