75

STW25NM60ND, МОП-транзистор, N Канал, 21 А, 600 В, 0.13 Ом

Поставка электронных компонентов в Тюмень

560,00 руб.

x 560,00 = 560,00
Артикул: 1133256 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Тюмень уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней560,00руб.520,80руб.504,00руб.492,80руб.476,00руб.448,00руб.436,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней1.052,80руб.968,80руб.952,00руб.929,60руб.896,00руб.845,60руб.823,20руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней1.069,60руб.985,60руб.963,20руб.940,80руб.896,00руб.851,20руб.834,40руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней672,00руб.616,00руб.604,80руб.588,00руб.571,20руб.537,60руб.520,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней974,40руб.896,00руб.873,60руб.856,80руб.828,80руб.778,40руб.756,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней610,40руб.565,60руб.548,80руб.537,60руб.520,80руб.487,20руб.476,00руб.

Характеристики

STW25NM60ND, МОП-транзистор, N Канал, 21 А, 600 В, 0.13 Ом The STW25NM60ND is a FDmesh™ II N-channel Power MOSFET features low input capacitance and gate charge. This FDmesh™ II Power MOSFET with intrinsic fast-recovery body diode are produced using the second generation of MDmesh™ technology. Utilizing a new strip-layout vertical structure, this revolutionary device features extremely low ON-resistance and superior switching performance. It is ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.

• The worldwide best RDS (ON) area amongst the fast recovery diode device
• 100% Avalanche tested
• Extremely high dV/dt and avalanche capabilities

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

to-247
Рассеиваемая Мощность

160Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

600в
Непрерывный Ток Стока

21А