NDP6060, МОП-транзистор, N Канал, 48 А, 60 В, 25 мОм, 10 В, 2.9 В

Поставка электронных компонентов в Тюмень

240,00 руб.

Артикул: 1134673 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Сроки поставки выбранного компонента в Тюмень уточняйте у нашего менеджера

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №1	10-12 дней	240,00руб.	223,20руб.	216,00руб.	211,20руб.	204,00руб.	192,00руб.	187,20руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №2	5-7 дней	451,20руб.	415,20руб.	408,00руб.	398,40руб.	384,00руб.	362,40руб.	352,80руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №3	5-7 дней	458,40руб.	422,40руб.	412,80руб.	403,20руб.	384,00руб.	364,80руб.	357,60руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №4	10 дней	288,00руб.	264,00руб.	259,20руб.	252,00руб.	244,80руб.	230,40руб.	223,20руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №5	7 дней	417,60руб.	384,00руб.	374,40руб.	367,20руб.	355,20руб.	333,60руб.	324,00руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №6	10-12 дней	261,60руб.	242,40руб.	235,20руб.	230,40руб.	223,20руб.	208,80руб.	204,00руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

NDP6060, МОП-транзистор, N Канал, 48 А, 60 В, 25 мОм, 10 В, 2.9 ВThe NDP6060 is a N-channel enhancement-mode Power FET produced using Fairchild’s proprietary high cell density DMOS technology. This very high density process has been especially tailored to minimize ON-state resistance, provide superior switching performance and withstand high energy pulses in the avalanche and commutation modes. It is particularly suited for low voltage applications such as DC-to-DC converters, PWM motor controls and other battery powered circuits where fast-switching, low in-line power loss and resistance to transients are needed. The rugged internal source-drain diode can eliminates the need for an external Zener diode transient suppressor.

• Critical DC electrical parameters specified at elevated temperature
• High density cell design for extremely low RDS (ON)

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура	175 C
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора	TO-220AB
Рассеиваемая Мощность	100Вт
Полярность Транзистора	N Канал
Напряжение Истока-стока Vds	60В
Непрерывный Ток Стока	48А