2N3637, Биполярный транзистор, PNP, -175 В, 200 МГц, 5 Вт

Поставка электронных компонентов в Тюмень

270,00 руб.

Артикул: 1129197 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Сроки поставки выбранного компонента в Тюмень уточняйте у нашего менеджера

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №1	10-12 дней	270,00руб.	251,10руб.	243,00руб.	237,60руб.	229,50руб.	216,00руб.	210,60руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №2	5-7 дней	507,60руб.	467,10руб.	459,00руб.	448,20руб.	432,00руб.	407,70руб.	396,90руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №3	5-7 дней	515,70руб.	475,20руб.	464,40руб.	453,60руб.	432,00руб.	410,40руб.	402,30руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №4	10 дней	324,00руб.	297,00руб.	291,60руб.	283,50руб.	275,40руб.	259,20руб.	251,10руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №5	7 дней	469,80руб.	432,00руб.	421,20руб.	413,10руб.	399,60руб.	375,30руб.	364,50руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №6	10-12 дней	294,30руб.	272,70руб.	264,60руб.	259,20руб.	251,10руб.	234,90руб.	229,50руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

2N3637, Биполярный транзистор, PNP, -175 В, 200 МГц, 5 Вт The 2N3637 is a -175V PNP silicon epitaxial Planar Transistor designed for use as drivers for high power transistors in general purpose amplifier and switching circuits.

• -175V Collector to base voltage (VCBO)
• -5V Emitter to base voltage (VEBO
• 60ns Fall time (VCC = 30V, IB2 = 15mA)
• 175 C/W Thermal resistance, junction to ambient
• 35 C/W Thermal resistance, junction to case
• Multicomp products are rated 4.6 out of 5 stars
• 12-month limited warranty *view Terms & Conditions for details
• 96% of customers would recommend to a friend

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыБиполярные Транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура	200 C
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер	-175В
Стандарт Корпуса Транзистора	TO-39
Рассеиваемая Мощность	5Вт
Полярность Транзистора	pnp
DC Ток Коллектора	1а
DC Усиление Тока hFE	50hFE
Частота Перехода ft	200МГц