73

BSC028N06LS3GATMA1, МОП-транзистор, N Канал, 100 А, 60 В

Поставка электронных компонентов в Тюмень

260,00 руб.

x 260,00 = 260,00
Артикул: 1133457 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Тюмень уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней260,00руб.241,80руб.234,00руб.228,80руб.221,00руб.208,00руб.202,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней488,80руб.449,80руб.442,00руб.431,60руб.416,00руб.392,60руб.382,20руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней496,60руб.457,60руб.447,20руб.436,80руб.416,00руб.395,20руб.387,40руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней312,00руб.286,00руб.280,80руб.273,00руб.265,20руб.249,60руб.241,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней452,40руб.416,00руб.405,60руб.397,80руб.384,80руб.361,40руб.351,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней283,40руб.262,60руб.254,80руб.249,60руб.241,80руб.226,20руб.221,00руб.

Характеристики

BSC028N06LS3GATMA1, МОП-транзистор, N Канал, 100 А, 60 В The BSC028N06LS3 G is a 60V N-channel Power MOSFET optimized for synchronous rectification in switched mode power supplies (SMPS) such as those found in servers, desktops and tablet charger. The MOSFET features 40% lower RDS (on) than alternative devices. Dramatically reduced gate charge and output charge enable high system efficiency and power density. The OptiMOS™ power MOSFET is ideally suited for high frequency switching and DC-DC converters.

• Highest system efficiency
• Less paralleling required
• Increased power density
• Saving space
• Very low voltage overshoot
• Superior thermal resistance

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

8вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

TDSON
Рассеиваемая Мощность

139Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

60В
Непрерывный Ток Стока

100А