Заполнитель

FQP6N80C, МОП-транзистор, N Канал, 5.5 А, 800 В, 2.1 Ом

Поставка электронных компонентов в Тюмень

90,00 руб.

x 90,00 = 90,00
Артикул: 1132176 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Тюмень уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней90,00руб.83,70руб.81,00руб.79,20руб.73,80руб.72,00руб.70,20руб.64,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней162,90руб.149,40руб.146,70руб.143,10руб.133,20руб.130,50руб.126,90руб.114,30руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней210,60руб.194,40руб.189,90руб.185,40руб.172,80руб.168,30руб.164,70руб.147,60руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней108,00руб.99,00руб.97,20руб.94,50руб.88,20руб.86,40руб.83,70руб.75,60руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней207,90руб.191,70руб.187,20руб.182,70руб.177,30руб.171,00руб.162,00руб.145,80руб.

Характеристики

FQP6N80C, МОП-транзистор, N Канал, 5.5 А, 800 В, 2.1 Ом The FQP6N80C is a QFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. This device is suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC) and electronic lamp ballasts.

• Low gate charge (21nC)
• Low Crss (8pF)
• 100% Avalanche tested

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

to-220
Рассеиваемая Мощность

158Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

800В
Непрерывный Ток Стока

5.5А