Заполнитель

Транзистор HGTG30N60B3, 60A/600V N-

Поставка электронных компонентов в Тюмень

437,00 руб.

x 437,00 = 437,00
Артикул: 1128410 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Тюмень уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней437,00руб.406,41руб.393,30руб.384,56руб.371,45руб.349,60руб.340,86руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней821,56руб.756,01руб.742,90руб.725,42руб.699,20руб.659,87руб.642,39руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней834,67руб.769,12руб.751,64руб.734,16руб.699,20руб.664,24руб.651,13руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней524,40руб.480,70руб.471,96руб.458,85руб.445,74руб.419,52руб.406,41руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней760,38руб.699,20руб.681,72руб.668,61руб.646,76руб.607,43руб.589,95руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней476,33руб.441,37руб.428,26руб.419,52руб.406,41руб.380,19руб.371,45руб.

Характеристики

HGTG30N60B3, 60A/600V N-The HGTG30N60B3 is a PT IGBT combines the best features of high input impedance of a MOSFET and the low ON-state conduction loss of a bipolar transistor. It is ideal for many high voltage switching applications operating at moderate frequencies where low conduction losses are essential, such as UPS, solar inverter and power supplies.

• Short-circuit rating
• 1.45V @ IC = 30A Low saturation voltage
• 90ns Fall time @ TJ = 150 C
• 208W Total power dissipation @ TC = 25 C

Дополнительная информация

Корпус

to-247
Структура

n-канал