fcee293d21e6daff9bafdde7f90e944b

IPB65R045C7ATMA1, МОП-транзистор, N Канал, 46 А, 650 В

Поставка электронных компонентов в Тюмень

1.090,00 руб.

x 1.090,00 = 1.090,00
Артикул: 1132296 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Тюмень уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №110-12 дней1.090,00руб.1.013,70руб.959,20руб.926,50руб.893,80руб.877,45руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №27-10 дней1.231,70руб.1.111,80руб.1.090,00руб.1.046,40руб.1.013,70руб.991,90руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №37-10 дней1.329,80руб.1.199,00руб.1.166,30руб.1.133,60руб.1.068,20руб.1.002,80руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №47-10 дней1.297,10руб.1.166,30руб.1.144,50руб.1.100,90руб.1.057,30руб.997,35руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №55 дней1.853,00руб.1.667,70руб.1.635,00руб.1.569,60руб.1.515,10руб.1.384,30руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №66 дней1.842,10руб.1.656,80руб.1.621,92руб.1.558,70руб.1.504,20руб.1.373,40руб.

Характеристики

IPB65R045C7ATMA1, МОП-транзистор, N Канал, 46 А, 650 В The IPB65R045C7 is a 650V CoolMOS™ C7 N-channel Power MOSFET features lower gate charge. The CoolMOS™ is a revolutionary technology for high voltage power MOSFET, designed according to the super-junction(SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. The CoolMOS™ C7 combines the experience of the leading SJ MOSFET supplier with high class innovation. The product portfolio provides all benefits of fast switching super-junction MOSFET offering better efficiency, reduced gate charge, easy implementation and outstanding reliability.

• Increased dV/dt ruggedness
• Better efficiency due to best in class FOM RDS (ON) x Eoss and RDS (ON) x Qg
• Best in class RDS (ON)
• Easy to use/drive
• Halogen-free
• Enabling higher system efficiency
• Enabling higher frequency
• Increased power density solutions
• Size savings due to reduced cooling requirements
• Higher system reliability due to lower operating temperatures
• Reduced energy stored in output capacitance(Eoss)
• Low switching losses
• Outstanding CoolMOS™ quality

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

TO-263
Рассеиваемая Мощность

227Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

650В
Непрерывный Ток Стока

46А