IRF7101TRPBF, Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал

Поставка электронных компонентов в Тюмень

74,00 руб.

Артикул: 1131768 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Сроки поставки выбранного компонента в Тюмень уточняйте у нашего менеджера

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №1	10-12 дней	74,00руб.	68,82руб.	66,60руб.	65,12руб.	60,68руб.	59,20руб.	57,72руб.	53,28руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №2	5-7 дней	133,94руб.	122,84руб.	120,62руб.	117,66руб.	109,52руб.	107,30руб.	104,34руб.	93,98руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №3	5 дней	173,16руб.	159,84руб.	156,14руб.	152,44руб.	142,08руб.	138,38руб.	135,42руб.	121,36руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №4	7-10 дней	88,80руб.	81,40руб.	79,92руб.	77,70руб.	72,52руб.	71,04руб.	68,82руб.	62,16руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №5	5 дней	170,94руб.	157,62руб.	153,92руб.	150,22руб.	145,78руб.	140,60руб.	133,20руб.	119,88руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

IRF7101TRPBF, Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал N-Channel Power MOSFET 12V to 25V, Infineon
Infineon’s range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура	150 C
Количество Выводов	8вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора	SOIC
Рассеиваемая Мощность	2Вт
Полярность Транзистора	Двойной N Канал
Напряжение Истока-стока Vds	20В
Непрерывный Ток Стока	3.5А