Заполнитель

Транзистор IRFB4228PBF, Nкан 150В 83А TO220AB

Поставка электронных компонентов в Тюмень

229,00 руб.

x 229,00 = 229,00
Артикул: 1127106 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Тюмень уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней229,00руб.212,97руб.206,10руб.201,52руб.194,65руб.183,20руб.178,62руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней430,52руб.396,17руб.389,30руб.380,14руб.366,40руб.345,79руб.336,63руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней437,39руб.403,04руб.393,88руб.384,72руб.366,40руб.348,08руб.341,21руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней274,80руб.251,90руб.247,32руб.240,45руб.233,58руб.219,84руб.212,97руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней398,46руб.366,40руб.357,24руб.350,37руб.338,92руб.318,31руб.309,15руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней249,61руб.231,29руб.224,42руб.219,84руб.212,97руб.199,23руб.194,65руб.

Характеристики

IRFB4228PBF, Nкан 150В 83А TO220ABThe IRFB4228PBF is a HEXFET® single N-channel PDP switch Power MOSFET specifically designed for sustain, energy recovery and pass switch applications in plasma display panels. It utilizes the latest processing techniques to achieve low ON-resistance per silicon area and low EPULSE rating. Additional features of this MOSFET are 175 C operating junction temperature and high repetitive peak current capability. It combines to make this MOSFET a highly efficient, robust and reliable device for PDP driving applications. It is optimized for PDP sustain, energy recovery and pass switch applications.

• Advanced process technology
• Low EPULSE rating to reduce power dissipation
• Low Qg for fast response
• High repetitive peak current capability for reliable operation
• Short fall and rise times for fast switching
• Repetitive avalanche capability for robustness and reliability

Дополнительная информация

Корпус

to220ab
Структура

n-канал