IRFH7084TRPBF, Транзистор N-канал 40В 100А 1.25мОм [PQFN-5×6]

Поставка электронных компонентов в Тюмень

145,00 руб.

Артикул: 1127143 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Сроки поставки выбранного компонента в Тюмень уточняйте у нашего менеджера

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №1	10-12 дней	145,00руб.	134,85руб.	130,50руб.	127,60руб.	123,25руб.	116,00руб.	113,10руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №2	5-7 дней	272,60руб.	250,85руб.	246,50руб.	240,70руб.	232,00руб.	218,95руб.	213,15руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №3	5-7 дней	276,95руб.	255,20руб.	249,40руб.	243,60руб.	232,00руб.	220,40руб.	216,05руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №4	10 дней	174,00руб.	159,50руб.	156,60руб.	152,25руб.	147,90руб.	139,20руб.	134,85руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №5	7 дней	252,30руб.	232,00руб.	226,20руб.	221,85руб.	214,60руб.	201,55руб.	195,75руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №6	10-12 дней	158,05руб.	146,45руб.	142,10руб.	139,20руб.	134,85руб.	126,15руб.	123,25руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

IRFH7084TRPBF, Транзистор N-канал 40В 100А 1.25мОм [PQFN-5×6]The IRFH7084TRPBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET offers improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness. It is suitable for half-bridge and full-bridge topologies, synchronous rectifier applications, DC-to-DC converters and DC-to-AC inverters.

• Fully characterized capacitance and avalanche SOA
• Enhanced body diode dV/dt and di/dt capability

Дополнительная информация

Корпус	pqfn 5×6 mm
Структура	n-канал