Транзистор IRFR3411PBF, Nкан 100В 32А D-Pak

Поставка электронных компонентов в Тюмень

80,00 руб.

Артикул: 1127189 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Сроки поставки выбранного компонента в Тюмень уточняйте у нашего менеджера

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №1	10-12 дней	80,00руб.	74,40руб.	72,00руб.	70,40руб.	65,60руб.	64,00руб.	62,40руб.	57,60руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №2	5-7 дней	144,80руб.	132,80руб.	130,40руб.	127,20руб.	118,40руб.	116,00руб.	112,80руб.	101,60руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №3	5 дней	187,20руб.	172,80руб.	168,80руб.	164,80руб.	153,60руб.	149,60руб.	146,40руб.	131,20руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №4	7-10 дней	96,00руб.	88,00руб.	86,40руб.	84,00руб.	78,40руб.	76,80руб.	74,40руб.	67,20руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №5	5 дней	184,80руб.	170,40руб.	166,40руб.	162,40руб.	157,60руб.	152,00руб.	144,00руб.	129,60руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

IRFR3411PBF, Nкан 100В 32А D-PakThe IRFR3411PBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient and reliable operation. It is designed for surface-mounting using vapour phase, infrared or wave soldering techniques. Power dissipation levels up to 1.5W are possible in typical surface-mount applications.

• Advanced process technology
• Dynamic dV/dt rating
• Fully avalanche rating
• Low static drain-to-source ON-resistance