7

IRFTS9342TRPBF, Транзистор, Р-канал 30В 5.9А [TSOP-6]

Поставка электронных компонентов в Тюмень

27,00 руб.

x 27,00 = 27,00
Сроки поставки выбранного компонента в Тюмень уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней27,00руб.25,11руб.24,30руб.23,76руб.22,14руб.21,60руб.21,06руб.19,44руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней48,87руб.44,82руб.44,01руб.42,93руб.39,96руб.39,15руб.38,07руб.34,29руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней63,18руб.58,32руб.56,97руб.55,62руб.51,84руб.50,49руб.49,41руб.44,28руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней32,40руб.29,70руб.29,16руб.28,35руб.26,46руб.25,92руб.25,11руб.22,68руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней62,37руб.57,51руб.56,16руб.54,81руб.53,19руб.51,30руб.48,60руб.43,74руб.

Характеристики

IRFTS9342TRPBF, Транзистор, Р-канал 30В 5.9А [TSOP-6]The IRFTS9342TRPBF is a HEXFET® single P-channel Power MOSFET offers improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness. It is suitable for battery powered circuits, half-bridge and full-bridge topologies, synchronous rectifier applications, DC-to-DC and AC-to-DC converters.

• Fully characterized capacitance and avalanche SOA
• Enhanced body diode dV/dt and di/dt capability
• Industry standard pin-out

Дополнительная информация

Корпус

tsop6

Структура

p-канал