47

IRGPS40B120UDP, Транзистор, IGBT 1200В 40А 5-40кГц, [Super-247]

Поставка электронных компонентов в Тюмень

710,00 руб.

x 710,00 = 710,00
Артикул: 1128361 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Тюмень уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней710,00руб.660,30руб.639,00руб.624,80руб.603,50руб.568,00руб.553,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней1.334,80руб.1.228,30руб.1.207,00руб.1.178,60руб.1.136,00руб.1.072,10руб.1.043,70руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней1.356,10руб.1.249,60руб.1.221,20руб.1.192,80руб.1.136,00руб.1.079,20руб.1.057,90руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней852,00руб.781,00руб.766,80руб.745,50руб.724,20руб.681,60руб.660,30руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней1.235,40руб.1.136,00руб.1.107,60руб.1.086,30руб.1.050,80руб.986,90руб.958,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней773,90руб.717,10руб.695,80руб.681,60руб.660,30руб.617,70руб.603,50руб.

Характеристики

IRGPS40B120UDP, Транзистор, IGBT 1200В 40А 5-40кГц, [Super-247]The IRGPS40B120UDP is an Insulated Gate Bipolar Transistor with ultrafast soft recovery diode. It features ultra-soft diode reverse recovery characteristics and excellent current sharing in parallel operation.

• Non-punch through IGBT technology
• Low diode VF
• Square RBSOA
• Positive VCE (on) temperature coefficient
• Rugged transient performance
• Low EMI
• Significantly less snubber required
• 10µs Short-circuit capability