f4afd50e5714c231289f5286b88c1f08

Микросхема MC33153DG

Поставка электронных компонентов в Тюмень

135,24 руб.

x 135,24 = 135,24
Артикул: 1102242 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Тюмень уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней135,24руб.125,77руб.121,72руб.119,01руб.114,95руб.108,19руб.105,49руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней254,25руб.233,97руб.229,91руб.224,50руб.216,38руб.204,21руб.198,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней258,31руб.238,02руб.232,61руб.227,20руб.216,38руб.205,56руб.201,51руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней162,29руб.148,76руб.146,06руб.142,00руб.137,94руб.129,83руб.125,77руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней235,32руб.216,38руб.210,97руб.206,92руб.200,16руб.187,98руб.182,57руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней147,41руб.136,59руб.132,54руб.129,83руб.125,77руб.117,66руб.114,95руб.

Характеристики

MC33153DGThe MC33153DG is a Single IGBT Gate Driver for high power applications. Although it is designed for driving discrete and module IGBTs, this device offers a cost effective solution for driving power MOSFETs and bipolar transistors. Device protection features include the choice of de-saturation or over current sensing and under voltage detection.

• 1A Source/2A sink high current output stage
• Protection circuits for both conventional and sense IGBTs
• Programmable fault blanking time
• Protection against overcurrent and short-circuit
• Negative Gate drive capability
• Pb-free device