Заполнитель

MJD112T4G, Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 25 МГц, 20 Вт

Поставка электронных компонентов в Тюмень

59,00 руб.

x 59,00 = 59,00
Артикул: 1129917 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Тюмень уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней59,00руб.54,87руб.53,10руб.51,92руб.48,38руб.47,20руб.46,02руб.42,48руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней106,79руб.97,94руб.96,17руб.93,81руб.87,32руб.85,55руб.83,19руб.74,93руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней138,06руб.127,44руб.124,49руб.121,54руб.113,28руб.110,33руб.107,97руб.96,76руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней70,80руб.64,90руб.63,72руб.61,95руб.57,82руб.56,64руб.54,87руб.49,56руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней136,29руб.125,67руб.122,72руб.119,77руб.116,23руб.112,10руб.106,20руб.95,58руб.

Характеристики

MJD112T4G, Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 25 МГц, 20 Вт The MJD112T4G is a 2A NPN bipolar power Darlington Transistor designed for general purpose power and switching such as output or driver stages in applications such as switching regulators, converters and power amplifiers.

• Lead formed for surface-mount applications in plastic sleeves
• Monolithic construction with built-in base-emitter shunt resistors
• Complementary pairs simplifies designs
• Surface-mount replacements for TIP110 to TIP117 series
• AEC-Q101 qualified and PPAP capable

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыБиполярные Транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер

100В
Стандарт Корпуса Транзистора

TO-252AA
Рассеиваемая Мощность

20Вт
Полярность Транзистора

npn
DC Ток Коллектора

2А
DC Усиление Тока hFE

200hFE
Частота Перехода ft

25МГц