SI4816BDY-T1-GE3, Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал

Поставка электронных компонентов в Тюмень

160,00 руб.

Артикул: 1131880 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Сроки поставки выбранного компонента в Тюмень уточняйте у нашего менеджера

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №1	10-12 дней	160,00руб.	148,80руб.	144,00руб.	140,80руб.	136,00руб.	128,00руб.	124,80руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №2	5-7 дней	300,80руб.	276,80руб.	272,00руб.	265,60руб.	256,00руб.	241,60руб.	235,20руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №3	5-7 дней	305,60руб.	281,60руб.	275,20руб.	268,80руб.	256,00руб.	243,20руб.	238,40руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №4	10 дней	192,00руб.	176,00руб.	172,80руб.	168,00руб.	163,20руб.	153,60руб.	148,80руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №5	7 дней	278,40руб.	256,00руб.	249,60руб.	244,80руб.	236,80руб.	222,40руб.	216,00руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №6	10-12 дней	174,40руб.	161,60руб.	156,80руб.	153,60руб.	148,80руб.	139,20руб.	136,00руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

SI4816BDY-T1-GE3, Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал The SI4816BDY-T1-GE3 is a dual N-channel MOSFET with Schottky diode housed in a surface-mount package.

• Halogen-free
• LITTLE FOOT® Plus power MOSFET
• 100% Rg tested

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура	150 C
Количество Выводов	8вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора	SOIC
Рассеиваемая Мощность	1.25Вт
Полярность Транзистора	Двойной N Канал
Напряжение Истока-стока Vds	30В
Непрерывный Ток Стока	5.8А