Характеристики
Быстрый силовой IGBT модуль 4-го поколения; полумост; 616 А; 1200 В
Характеристики:
Схема: полумост;
Напряжение: 1200 В;
Номинальный ток: 400 А;
Технология кристалла: IGBT 4 Fast (Trench);
Количество ключей в модуле: 2;
Корпус: SEMITRANS 3;
Размеры: 106x62x31 мм