Заполнитель

STP34NM60N, МОП-транзистор, N Канал, 29 А, 600 В, 0.092 Ом

Поставка электронных компонентов в Тюмень

610,00 руб.

x 610,00 = 610,00
Артикул: 1133202 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Тюмень уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней610,00руб.567,30руб.549,00руб.536,80руб.518,50руб.488,00руб.475,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней1.146,80руб.1.055,30руб.1.037,00руб.1.012,60руб.976,00руб.921,10руб.896,70руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней1.165,10руб.1.073,60руб.1.049,20руб.1.024,80руб.976,00руб.927,20руб.908,90руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней732,00руб.671,00руб.658,80руб.640,50руб.622,20руб.585,60руб.567,30руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней1.061,40руб.976,00руб.951,60руб.933,30руб.902,80руб.847,90руб.823,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней664,90руб.616,10руб.597,80руб.585,60руб.567,30руб.530,70руб.518,50руб.

Характеристики

STP34NM60N, МОП-транзистор, N Канал, 29 А, 600 В, 0.092 Ом The STP34NM60N is a MDmesh™ II N-channel Power MOSFET features low input capacitance and gate charge. This Power MOSFET developed using the second generation of MDmesh™ technology. This revolutionary Power MOSFET associates a vertical structure to the company’s strip layout to yield one of the world’s lowest ON-resistance. It is therefore suitable for the most demanding high efficiency converters.

• 100% Avalanche tested

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

to-220
Рассеиваемая Мощность

210Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

600в
Непрерывный Ток Стока

29А