Заполнитель

STW34NM60N, Транзистор, MDmesh II, N-канал, 600В, 0.092Ом

Поставка электронных компонентов в Тюмень

250,00 руб.

x 250,00 = 250,00
Артикул: 1126911 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Тюмень уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней250,00руб.232,50руб.225,00руб.220,00руб.212,50руб.200,00руб.195,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней470,00руб.432,50руб.425,00руб.415,00руб.400,00руб.377,50руб.367,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней477,50руб.440,00руб.430,00руб.420,00руб.400,00руб.380,00руб.372,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней300,00руб.275,00руб.270,00руб.262,50руб.255,00руб.240,00руб.232,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней435,00руб.400,00руб.390,00руб.382,50руб.370,00руб.347,50руб.337,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней272,50руб.252,50руб.245,00руб.240,00руб.232,50руб.217,50руб.212,50руб.

Характеристики

STW34NM60N, Транзистор, MDmesh II, N-канал, 600В, 0.092Ом The STW34NM60N is a MDmesh™ II N-channel Power MOSFET features low input capacitance and gate charge. This Power MOSFET developed using the second generation of MDmesh™ technology. This revolutionary Power MOSFET associates a vertical structure to the company’s strip layout to yield one of the world’s lowest ON-resistance. It is therefore suitable for the most demanding high efficiency converters.

• 100% Avalanche tested
• Low gate input resistance

Дополнительная информация

Корпус

to247
Структура

n-канал