Характеристики
Pd — рассеивание мощности 1040 W
Вид монтажа Through Hole
Категория продукта Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Коммерческое обозначение XPT
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер 30 V
Минимальная рабочая температура 55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.75 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 160 A
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 160 A
Подкатегория IGBTs
Размер фабричной упаковки 30
Серия IXYH82N120
Технология Si
Тип продукта IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер 100 nA
Торговая марка IXYS
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-247-3
Channel Type N
Maximum Collector Emitter Voltage 1200 V
Maximum Continuous Collector Current 200 A
Maximum Gate Emitter Voltage ±20V
Maximum Operating Temperature +175 °C
Maximum Power Dissipation 1250 W
Minimum Operating Temperature -55 °C
Mounting Type Through Hole
Package Type TO-247
Pin Count 3
Switching Speed 50kHz
Transistor Configuration Single